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12N80L-T47-T

产品描述漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小239KB,共6页
制造商友顺(UTC)
官网地址http://www.utc-ic.com/
友順科技股份有限公司成立於1990年,專注致力於類比IC及離散式元件Discrete研發、設計、製造、封裝、測試及行銷業務。
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12N80L-T47-T概述

漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360W(Tc) 类型:N沟道

12N80L-T47-T规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻1Ω @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)360W(Tc)
类型N沟道
将SDK放到IDE中,将SDK_2.2_FRDM-KW41Z文件夹拖动到相关位置时不识别
一直没有出现拷贝路径的框框这是怎么回事@nmg...
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