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BZV55C18 L1G

产品描述最大功率:500mW 精度:±5% 反向漏电流:0.1uA @ 13V 稳压值(典型值):18V
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小194KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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BZV55C18 L1G概述

最大功率:500mW 精度:±5% 反向漏电流:0.1uA @ 13V 稳压值(典型值):18V

BZV55C18 L1G规格参数

参数名称属性值
最大功率500mW
精度±5%
反向漏电流0.1uA @ 13V
稳压值(典型值)18V

BZV55C18 L1G相似产品对比

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