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MURS120

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):900mV @ 1A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小229KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
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MURS120概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):900mV @ 1A

MURS120规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)200V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)900mV @ 1A

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MURS120
Technical Data
Data Sheet N0161 Rev. A
MURS120 ULTRAFAST RECTIFIERS
Features
Ultra-Fast Switching
High Current Capability
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
SMB
Additional testing can be offered upon request
Circuit Diagram
Mechanical Data
Case: Low Profile Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Weight: 0.09grams(approx)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
= 75°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
Io
I
FSM
V
FM1
I
RM
R
θJA
Trr
T
J
, T
STG
MURS120
200
1.0
40
0.9
2
50
80
25
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
µA
K/W
ns
°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
=1.0A, T
J
=25°C
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Mounted on P.C. Board with 14mm
2
(0.13mm thick) copper pad.
2. Measured with IF=0.5A; IR=1.0A; IRR=0.25A.
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

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描述 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):900mV @ 1A DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

 
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