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SVF4N60RD-TR

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小326KB,共7页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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SVF4N60RD-TR概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W(Tc) 类型:N沟道

SVF4N60RD-TR规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)77W(Tc)
类型N沟道

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SVF4N60RD(M)说明书
4A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF4N60RD(M)
N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采
用士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的工
艺及原胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、
优越的开关性½及很高
的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换器,高
H
PWM
马达驱动。
特点
4A,600V,R
DS(on)
(典型值)
=2.0@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
产品规格分类
产 品 名 称
SVF4N60CADTR
SVF4N60CAMN
封装½式
TO-252-2L
TO-251D-3L
打印名称
4N60RD
4N60RD
环保等级
无卤
无卤
包装
编带
料管
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.0
7
页 第
1
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