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SVF4N60RD-TR

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小326KB,共7页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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SVF4N60RD-TR概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W(Tc) 类型:N沟道

SVF4N60RD-TR规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)77W(Tc)
类型N沟道

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