PT5618
200V
三相
Gate
驱动
简述
PT5618
在同一颗芯片中同时集成了三个
200V
半桥栅
极驱动器,特别适合于三相电机应用中高速功率
MOSFET
和
IGBT
的栅极驱动。芯片内½了死区时间和
上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了
防止因芯片工½在较½的电源电压而对功率管产生损
害,芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。
先进的高压
BCD
制程和内½共模噪声消除技术½得高
边驱动器在高
dv/dt
噪声环境½稳定工½,并且½芯片
具有½范的负瞬态电压忍受½力。为了延长电池的½用
时间,可以通过对
EN
引脚的控制½芯片½进入到½消
耗电流的待机模式.
应用
电动½,电动工具应用中三相马达驱动
其他电池供电产品中马达驱动
110V
电½家电马达驱动
其他三相逆变器
特征
内部集成
200V
三相半桥高边和½边驱动器
高边驱动器浮动电压范围
0-200V
内½直通保护
高边和½边驱动器内½欠压锁定
兼容
3.3V, 5V,15V
三种逻辑电平
内½输入噪声滤波器
½静态电流
驱动器汲出/汲入电流:
320mA/620mA
死区时间:0.55us(typ.)
优秀
dv/dt
共模噪声消除电路
具有负瞬态电压忍受½力
½
di/dt
栅极驱动特性,更½的
EMI
性½
工½温度范围:-40℃至
125℃
小尺寸封装:TSSOP20L/24L,173mil
Tel: 886-66296288
‧
Fax: 886-29174598
‧
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‧
2F, 233-1, Baociao Rd., Sindian Dist., New Taipei City 23145, Taiwan
PT5618
功½描述
½边电源
VCC
和欠压锁定(
UVLO
)
VCC
为½边电路电源供应端,½为输入逻辑电路和½边输出功率级工½提供所需的驱动½量。内½的欠压锁定电路½保
证芯片工½在足够高的电源电压范围,
进而防止由于½驱动电压所产生的热耗散对MOSFET/IGBT造成损害。
如图1所示,
½VCC上升并超过阈值电压V
CCUV+
=8.5V后,½边控制电路解锁并开始工½,LO开始输出;反之,VCC下降并½于阈值
电压V
CCUV-
=8.0 V后,½边电路锁定,芯片停止工½,LO停止输出。VCC工½电压范围建议为10V-20V。
V
CC
V
CCMAX
20V
VCC Recommended Area
V
CCMIN
10V
V
CCUV+
8.5V
V
CCUV-
8.0V
t
LIN1,2,3
LO1,2,3
图
1 VCC
电源欠压锁定和工½电压范围示意图
高边电源
VBS (VB1-VS1, VB2-VS2, VB3-VS3)
和欠压锁定(
UVLO
)
VBS
电源为高边电路供电电源,其中
VBS1(VB1-VS1), VBS2(VB2-VS2)和 VBS3(VB3-VS3)
分别对应相
1,相 2
和相
3
高边驱动电源。由浮动电源
VBS
供电的整½高边电路以地
COM
为参考点,并跟随外部功率管
MOSFET/IGBT
的源/发射
极电压,在地线和母线电压之间摆动。由于高边电路具有½静态电流消耗,因此整个高边电路可以由与
VCC
连接的自举
电路技术供电,并且只需一个较小的电容就½维持驱动功率管所需电压。如图
2
所示,高边电源
VBS
的欠压锁定类似于
½边
VCC
电源,VBS 工½电压范围建议在
10V-20V.
V
BS
V
BSMAX
20V
V
BS
Recommended Area
V
BSMIN
10V
V
BSUV+
7.8V
V
BSUV-
7.3V
t
HIN1,2,3
HO1,2,3
图
2 VBS
电源欠压锁定和工½电压范围示意图
V1.1_c
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May 2017