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PJSD36W_R1_00001

产品描述反向关断电压(典型值):36V 击穿电压(最小值):39.9V 极性:- 箝位电压:60V 峰值脉冲电流(10/1000us):1A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小144KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD36W_R1_00001概述

反向关断电压(典型值):36V 击穿电压(最小值):39.9V 极性:- 箝位电压:60V 峰值脉冲电流(10/1000us):1A

PJSD36W_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压45 V
最小击穿电压39.9 V
击穿电压标称值42.45 V
最大钳位电压60 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压36 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJSD03W~PJSD36W
SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PROTECTION PORTABLE ELECTRONICS
VOLTAGE
FEATURES
• 350 Watts peak pules power (tp=8/20
μs)
• Small package for use in portable electronics
• Suitable replacement for MLV’S in ESD protection applications
• Low clamping voltage and leakage current
• IEC 61000-4-2 (ESD) +15kV (air), +8kV (contact)
• Lead free in compliance with EU RoHS 201
1/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
3~36 Volt
POWER
350 Watt
0.036(0.90)
0.027(0.70)
APPLICATIONS
• Case : SOD-323 plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity : Color band cathode
• Apporx. Weight : 0.0001 ounce, 0.0041 gram
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.012(0.30)MIN.
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHATACTERISTICS
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Rating
Peak Pulse Power (tp=8/20
μs)
ESD Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
PK
V
ESD
T
J
T
STG
Value
350
25
-50 to 150
-50 to 150
Units
W
KV
O
C
C
O
April 1,2016-REV.03
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