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MURC3J_R1_00001

产品描述直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V @ 3A 反向恢复时间(trr):50ns
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小426KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MURC3J_R1_00001概述

直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V @ 3A 反向恢复时间(trr):50ns

MURC3J_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMC, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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PMURB3J
/ MURC3J / MUR360M
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
Voltage
Features
Superfast recovery times-epitaxial construction
Low forward voltage, high current capability
Hermetically sealed.
Low leakage
High surge capacity
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC 61249 standard (SMB, SMC)
600 V
Current
3A
MUR360M DO-201AD
MURB3J SMB
Mechanical Data
Case: Molded plastic, SMB, SMC, DO-201AD
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color Band denotes cathode end
SMB Approx. Weight: 0.0032 ounces, 0.092 grams
SMC Approx. Weight: 0.0082 ounces, 0.2325 grams
DO-201AD Approx. Weight: 0.04 ounces, 1.142 grams
Marking: Part number
MURC3J SMC
1
2
Cathode
Anode
Maximum Ratings
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward current
SMB
Peak forward surge current : 8.3ms single
SMC
half sine-wave superimposed on rated load
DO-201AD
Maximum forward voltage at 3A
Maximum dc reverse current at rated dc blocking voltage
Operating and storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
J,
T
STG
LIMIT
600
420
600
3
70
80
80
1.25
5
-55 to +175
UNIT
V
V
V
A
A
V
A
o
o
C
April 30,2018-REV.04
Page 1
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