Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GLZ16C_R1_10001

文档预览

GLZ16C_R1_10001: 产品描述精度：- 稳压值(典型值）：15.69V(Min)~16.51V(Max) 反向漏电流：200nA @ 12V 最大功率：500mW 16V 500mW; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小315KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

GLZ16C_R1_10001概述

精度：- 稳压值(典型值）：15.69V(Min)~16.51V(Max) 反向漏电流：200nA @ 12V 最大功率：500mW 16V 500mW

GLZ16C_R1_10001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	18 Ω
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-LELF-R2
膝阻抗最大值	150 Ω
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	16 V
最大反向电流	0.2 µA
反向测试电压	12 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
最大电压容差	3.19%
工作测试电流	10 mA
Base Number Matches	1

GLZ16C_R1_10001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GLZ2.0 SERIES

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.0 to 56 Volt

POWER

500 mWatt

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

0.063(1.6)

0.055(1.4)D IA .

0.020(0.5)

0.012(0.3)

0.146(3.7)

0.130(3.3)

0.020(0.5)

0.012(0.3)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MINI-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.001 ounces, 0.03 grams.

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

T/R - 10K per 13" plastic Reel

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at T

= 25

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

Value

500

-55 to + 175

-65 to + 175

Units

TOT

STG

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at I

= 100mA

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.3

Units

C/mW

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

October 2,2017-REV.06

PAGE . 1

推荐资源

IGBT温度曲线运动: 【不懂就问】图中纵轴的阻值，是如何分布的？图中的只看到几个阻值，想看细分的阻值分布有知道的请指点 ...; shaorc 电源技术

[BB方案提交] [晒出你的方案BeagleBone Black!] -智能家居之微博版: ...; huangwarrenus DSP 与 ARM 处理器

电力系统基础知识: 电力系统基础知识...; xtss 嵌入式系统

公司面试经常问的问题及回答思路: 问题一：“请你自我介绍一下” 思路： 1、这是面试的必**目。 2、介绍内容要与个人简历相一致。 3、表述方式上尽量口语化。 4、要切中要害，不谈无关、无用的内容。 5、条理要清晰，层次 ......; daicheng 工作这点儿事

关于LCD中的fram buffer （dma）地址问题？: // Make sure this matches entry in config.bib // These buffs are now offset via a constant #define DMA_BUFFER_BASE 0xAC000000 #define DMA_PHYSICAL_BASE 0x30000000 // S ......; csaner 嵌入式系统

【泰有聊】第二期：泰克CEO为你解读低噪声背后的科学: 让示波器只显示输入信号，而不要掺杂其他的信号，就需要示波器更纯粹地表征信号。MSO6示波器前端低噪放ASIC TEK061实现了突破性的噪声性能，与普通示波器相比，噪声降低约75%（5mV/div，1 GHz时 ......; EEWORLD社区测试/测量

小广播

热搜元器件