P2804NVG,P2804NVG pdf中文资料,P2804NVG引脚图,P2804NVG电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> P2804NVG

P2804NVG: 产品描述漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A,7A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 5A,10V;28mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道 40V 7A P沟道 -40V -6A MOS管阵列; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小636KB，共8页; 制造商NIKO-SEM(尼克森); 官网地址http://www.niko-sem.com/

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P2804NVG概述

漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A,7A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 5A,10V;28mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道 N沟道 40V 7A P沟道 -40V -6A MOS管阵列

P2804NVG规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	6A,7A
栅源极阈值电压	3V @ 250uA
漏源导通电阻	65mΩ @ 5A,10V;28mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2W
类型	N沟道和P沟道

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