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P06P03LDG

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:P沟道 P沟道 -30V -12A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小470KB,共5页
制造商NIKO-SEM(尼克森)
官网地址http://www.niko-sem.com/
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P06P03LDG概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:P沟道 P沟道 -30V -12A

P06P03LDG规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻75mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W(Tc)
类型P沟道

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