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LMUN2213LT1G: 产品描述额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~140; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小233KB，共16页; 制造商LRC; 官网地址http://www.lrc.cn; 标准

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LMUN2213LT1G概述

额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~140

	LMUN2213LT1G	LMUN2233LT1G	LMUN2215LT1G	LMUN2216LT1G	LMUN2234LT1G
描述	额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~140	额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~200	额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=160~350	额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=160~350	额定功率：246mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压 NPN,Vceo=50V,Ic=100mA,hfe=80~150
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	-
厂商名称	LRC	-	LRC	LRC	-
Reach Compliance Code	unknown	-	unknown	unknown	-
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	-
最小直流电流增益 (hFE)	80	-	160	160	-
元件数量	1	-	1	1	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
极性/信道类型	NPN	-	NPN	NPN	-
最大功率耗散 (Abs)	0.246 W	-	0.246 W	0.246 W	-
表面贴装	YES	-	YES	YES	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	-

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ