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LH8550QLT1G

产品描述额定功率:225mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=-1500mA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共4页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

LH8550QLT1G概述

额定功率:225mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=-1500mA

LH8550QLT1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)160
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES

LH8550QLT1G相似产品对比

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描述 额定功率:225mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=-1500mA Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor,
厂商名称 LRC LRC LRC LRC LRC
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
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