LESD5Z12T1G,LESD5Z12T1G pdf中文资料,LESD5Z12T1G引脚图,LESD5Z12T1G电路-Datasheet-电子工程世界

LESD5Z12T1G: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 240W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SC-79, 2 PIN; 产品类别分立半导体 ESD二极管; 文件大小251KB，共6页; 制造商LRC; 官网地址http://www.lrc.cn

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LESD5Z12T1G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 240W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SC-79, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	1293784729
包装说明	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	unknown
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
YTEOL	6.3
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压	13.5 V
击穿电压标称值	13.5 V
最大钳位电压	17 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	240 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-4
最大重复峰值反向电压	12 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL

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