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LBSS260DW1T1G

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.44Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):380mW 类型:双N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小310KB,共5页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LBSS260DW1T1G概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.44Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):380mW 类型:双N沟道

LBSS260DW1T1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
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