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S-KBP306G-TU-LT

产品描述反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.1V @ 3A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小135KB,共3页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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S-KBP306G-TU-LT概述

反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.1V @ 3A

S-KBP306G-TU-LT规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压600V
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)1.1V @ 3A

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KBP304G~KBP310G
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE – 400 to 1000 Volts
FORWARD CURRENT – 3.0 Ampere
KBP
KBP
DIM.
A
B
MIN.
14.25
3.35
10.20
14.25
1.40
1.80
0.80
3.56
MAX.
14.75
3.65
10.60
14.73
1.70
2.20
1.10
4.06
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique
The plastic material has UL flammability classification
94V-0
A
F
K
E C
+ ~ ~ -
B
M
L
D
G
H
C
D
d
E
F
G
H
I
J
K
L
M
I
MECHANICAL DATA
Polarity : As marked on body
Weight : 0.05 ounces, 1.52 grams
Mounting position : Any
J
d
0.35
0.55
1.22
1.42
0.76
0.86
2.7 x 45 (Typ.)
-
-
3
2
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
CHARACTERISTICS
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
(With heatsink)
(Without heatsink)
Current @T
C
=105°C
Peak Forward Surge Current
@ Tj = 25
8.3ms single half sine-wave
Peak Forward Surge Current
1.0ms single half sine-wave
@ T
J
= 125℃
@ Tj = 25
@ T
J
= 125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
I
FSM
V
F
KBP304G
400
280
400
KBP306G
600
420
600
3.0
1.9
90
80
180
160
1.1
5.0
500
26.5
50
10
12
30
12
18
40
KBP308G
800
560
800
KBP310G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
V
uA
A S
pF
°C/W
2
Maximum Forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current at rated
Blocking Voltage
I t Rating for fusing (3ms≦t
≦8.3ms)
Typical Junction Capacitance per element (Note 1)
Typical thermal resistance
(Unit mounted on 30mmx30mmx1mm Copper plate heatsink.)
Typical thermal resistance (without heatsink)
Operation Temperature Range
Storage Temperature Range
2
@Tj=25°C
@Tj=125°C
I
R
I t
C
J
R
Θ
JC
R
Θ
JL
R
Θ
JA
R
Θ
JC
R
Θ
JL
R
Θ
JA
T
J
T
STG
2
°C/W
°C
°C
-55 to +150
-55 to +150
Note: (1) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
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