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IXTH02N250

产品描述漏源电压(Vdss):2500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450Ω @ 50mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 N沟道,2500V,200mA,450Ω@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小189KB,共5页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
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IXTH02N250概述

漏源电压(Vdss):2500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450Ω @ 50mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 N沟道,2500V,200mA,450Ω@10V

IXTH02N250规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)2500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)200mA
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻450Ω @ 50mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W
类型N沟道

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