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CED07N65A

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,6A,1.45Ω@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小398KB,共4页
制造商CET
官网地址http://www.cetsemi.com
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CED07N65A概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,6A,1.45Ω@10V

CED07N65A规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.45Ω @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)107W(Tc)
类型N沟道
二位DS18C20温度计
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