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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> CEP20P06
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CEP20P06

产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,60V,14A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小435KB，共4页
制造商CET
官网地址http://www.cetsemi.com
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CEP20P06概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,60V,14A

CEP20P06规格参数

参数名称属性值
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）14A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻125mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）50W(Tc)
类型P沟道

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