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NCE7560K

产品描述漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小463KB,共7页
制造商Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
官网地址http://www.ncepower.com/
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NCE7560K概述

漏源电压(Vdss):75V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:N沟道 N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

NCE7560K规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)140W
类型N沟道

参考设计

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EG2130
准备电赛用的EG2130栅极驱动模块,可以驱动一个半桥,采用接插件的方式,更容易更换,可以搭建buck,boost,buck-boost,单相逆变,三相逆变,整流电路,可以用在很多的电路中。   EG2130 是一款高性价比的带SD̅̅̅̅功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片。内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路...

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用来准备电赛的EG3112栅极驱动模块,可以驱动一个半桥,采用接插件的方式,更容易更换,可以搭建buck,boost,buck-boost,单相逆变,三相逆变,整流电路,可以用在很多的电路中。   EG3112 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,...

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LM5106半桥驱动
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