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NCE6005AS

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 双N沟道,60V,5A,26毫欧,并联用可达10A,
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小405KB,共7页
制造商Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
官网地址http://www.ncepower.com/
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NCE6005AS概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 双N沟道,60V,5A,26毫欧,并联用可达10A,

NCE6005AS规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻35mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型双N沟道

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