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NCE40P70K

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W 类型:P沟道 P沟道,40V,70A.
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小385KB,共7页
制造商Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
官网地址http://www.ncepower.com/
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NCE40P70K概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W 类型:P沟道 P沟道,40V,70A.

NCE40P70K规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)130W
类型P沟道
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