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WFF8N65L

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小215KB,共8页
制造商WINSEMI
官网地址http://www.winsemi.com/
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WFF8N65L概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道

WFF8N65L规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W(Tc)
类型N沟道
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