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PHD13003C,412

产品描述额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共13页
制造商WeEn Semiconductors
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PHD13003C,412概述

额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN

PHD13003C,412规格参数

参数名称属性值
厂商名称WeEn Semiconductors
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
Is SamacsysN
Base Number Matches1

PHD13003C,412相似产品对比

PHD13003C,412 PHD13003C,126
描述 额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN 额定功率:2.1W 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:400V 晶体管类型:NPN
厂商名称 WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks
Is Samacsys N N
Base Number Matches 1 1
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