漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):140A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:N沟道 40V 140A 1.4毫欧 N沟道MOS
参数名称 | 属性值 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 140A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 2.5mΩ @ 35A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 4.2W |
类型 | N沟道 |
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