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SR5100T

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):700mV @ 5A 5A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小2MB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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SR5100T概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):700mV @ 5A 5A

SR5100T规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)5A
正向压降(Vf)700mV @ 5A

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SR5100T
5A Lead Type Low Barrier Diode
Features
Axial lead type devices for through hole design.
Low forward voltage drop.
Excellent high temperature stability.
Fast switching capability.
Suffix "H" indicates Halogen-free part, ex.SR5100TH.
Lead-free parts meet environmental standards of
MIL-STD-19500 /228
Outline
DO-27(DO-201AD)
1.0 (25.4) MIN.
.220 (5.6)
.197 (4.8)
DIA.
Marking code
.375 (9.6)
.285 (7.2)
Mechanical data
Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant
Case : Molded plastic, DO-201AD / DO-27
Lead : Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guranteed
Polarity : Color band denotes cathode end
Weight : Approximated 1.10 gram
.052 (1.3)
.048 (1.2)
DIA.
1.0 (25.4) MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum ratings and electrical characteristics
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Parameter
Marking code
Peak repetitive reverse voltage
Working peak reverse voltage
DC blocking voltage
Forward rectified current
Forward surge current
Peak repetitive reverse surge current
Thermal resistance
Operating and Storage temperature
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC method)
2us - 1kHz
Junction to case
V
RRM
V
RW M
V
RM
I
O
I
FSM
I
RRM
R
θJC
T
J
, T
STG
5
200
1
20
-65 ~ +175
O
O
Conditions
Symbol
SR5100T
SR5100T
UNIT
100
V
A
A
A
C/W
O
C
Parameter
I
F
= 2A, T
J
= 25
O
C
Forward voltage drop
I
F
= 5A, T
J
= 25
O
C
I
F
= 5A, T
J
= 125
O
C
Reverse current
Conditions
Symbol
MIN.
TYP.
510
MAX.
UNIT
V
F
700
600
mV
V
R
= V
R R M
T
J
= 25
O
C
V
R
= V
R R M
T
J
= 125
O
C
I
R
0.1
100
mA
ht
t
p
:
//
Revision:20170701-P1
www.lgesemi
.c
o
m
mail:lge@lgesemi.com
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