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1N5817WS

产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小158KB,共3页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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SMD Type
Schottky Diodes
1N5817WS ~ 1N5819WS
Features
Low power loss, high efficiency
High current capability
Low forward voltage drop
High Surge Capability
Diodes
Transistors
SOD-323
1
2
Top View
PIN DESCRIPTION
PIN
1
2
DESCRIPTION
Cathode
Anode
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Voltage @ I
F
=1A
Forward Voltage @ I
F
=3.1A
Average Forward Rectified Current @ T
L
=90
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @8.3ms
Reverse Voltage Leakage Current
Typical Junction Capacitance
Junction Temperature
Storage Temperature range
Ta = 25
Ta = 100
C
J
T
J
T
stg
I
FAV
I
FSM
I
R
10
110
125
-55 to 125
pF
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
F
1N5817WS
20
14
20
0.45
0.75
1N5818WS
30
21
30
0.55
0.875
1
25
1
mA
1N5819WS
40
28
40
0.6
0.9
A
V
Unit
Marking
NO.
Marking
1N5817WS
SJ
1N5818WS
SK
1N5819WS
SL
www.kexin.com.cn
1

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