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SI4435DY

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道 -30V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小437KB,共2页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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SI4435DY概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道 -30V

SI4435DY规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.8A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型P沟道

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SMD Type
SMD Type
P-Channel MOSFET
SI4435DY
(KI4435DY)
MOSFET
SOP-8
Features
V
DS
=-30V
R
DS(on)
=0.02Ω@V
GS
=-10V
R
DS(on)
=0.035Ω@V
GS
=-4.5V
0.21
-0.02
+0.04
1.50
0.15
S
G
S
S
S
G
D
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
D
D
D
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Junction-to-Ambient
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
stg
Rating
-30
±20
-8.8
-50
2.5
50
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
W
℃/W
www.kexin.com.cn
1
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