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BAW56

产品描述反向恢复时间(trr):6ns 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 200mA 70V,200mA,trr=6ns,VF=1V@50mA,PD=225mW
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小652KB,共2页
制造商金誉(HT)
官网地址http://www.htsemi.com/
深圳市金誉半导体有限公司,是深圳市金誉半导体集团旗下生产制造工厂,主要生产半导体分立件、MOS管、通用集成电路。公司主要产品有TO、SOD、SOT、SOP、TSSOP系列。热情为广大客户提供半导体封装加工测试服务,工厂设备先进,环境优美,注重员工的能力提升和培养,通过全体人员多年持之以恒的努力,已经发展成为中国最大的半导体生产制造基地之一。
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BAW56概述

反向恢复时间(trr):6ns 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 200mA 70V,200mA,trr=6ns,VF=1V@50mA,PD=225mW

BAW56规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)6ns
直流反向耐压(Vr)70V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1.25V @ 200mA

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BAW56
SOT-23
FEATURES
Fast Switching Speed
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
BAW56 Marking: A1
BAV70 Marking: A4
BAV99 Marking: A7
Maximum Ratings @T
A
=25℃
Parameter
Reverse voltage
Forward Current
Peak Forward Surge Current
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
R
I
F
I
FM(surge)
P
D
R
θJA
T
J
T
STG
Limits
70
200
500
225
556
150
-55-150
Unit
V
mA
mA
mW
℃/W
Electrical Characteristics @T
A
=25℃
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
R
V
F1
Forward voltage
V
F2
V
F3
V
F4
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
I
R
C
T
t
rr
Min.
70
0.715
0.855
1
1.25
2.5
1.5
6
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
V
V
μA
pF
ns
I
R
=100μA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=70V
V
R
=0,f=1MHz
I
F
= I
R
= 10mA,
Irr= 0.1 x I
R
, R
L
= 100Ω
Conditions
1 
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
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