Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> BAT54S

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BAT54S: 产品描述直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1V @ 100mA; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小643KB，共2页; 制造商金誉(HT); 官网地址http://www.htsemi.com/; 深圳市金誉半导体有限公司，是深圳市金誉半导体集团旗下生产制造工厂，主要生产半导体分立件、MOS管、通用集成电路。公司主要产品有TO、SOD、SOT、SOP、TSSOP系列。热情为广大客户提供半导体封装加工测试服务，工厂设备先进，环境优美，注重员工的能力提升和培养，通过全体人员多年持之以恒的努力，已经发展成为中国最大的半导体生产制造基地之一。

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BAT54S概述

直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1V @ 100mA

BAT54S规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	30V
平均整流电流（Io）	200mA
正向压降（Vf）	1V @ 100mA

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BAT54/A/C/S

SCHOTTKY

DIODES

SOT-23

FEATURES

Extremely Fast Switching Speed

BAT54 MARKING:

KL1

BAT54A MARKING:

KL2

BAT54C MARKING:

KL3

BAT54S MARKING:

KL4

Maximum Ratings @T

=25℃

Parameter

Peak Repetitive Peak reverse voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking

Voltage

Symbol

RRM

RWM

STG

200

-55-150

℃

Limits

Unit

Forward Continuous Current

Power Dissipation

Storage temperature

Electrical Characteristics @T

=25℃

Parameter

Reverse Breakdown Voltage

Symbol

(BR)R

Forward voltage

Reverse current

Diode Capacitance

Reverse Recovery Time

Min.

0.24

0.32

0.40

0.50

Typ.

Max.

Unit

μA

Conditions

IR=100μA

=0.1mA

=1mA

=10mA

=30mA

=100mA

=25V

=1V,f=1MHz

=10mA

Irr=0.1XI

=100Ω

１　

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

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