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C9012B

产品描述晶体管类型:- 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:20V 额定功率:625mW
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小317KB,共5页
制造商飞虹(FeiHong)
官网地址http://www.gzfeihong.com/
广州飞虹半导体有限公司成立于广州越秀区,诚信经营20多年。主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,目前广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等行业领域,为国内的电器厂家提供了优质的配套服务。
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C9012B概述

晶体管类型:- 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:20V 额定功率:625mW

C9012B规格参数

参数名称属性值
集电极电流Ic500mA
集射极击穿电压Vce20V
额定功率625mW

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晶½管
TRANSISTOR
C9012B
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
I
C
V
CEO
P
C
-500mA
- 20V
625mW
产品特性
FEATURES
硅外延
高开关速度
C9013B
互补
RoHS
产品
Epitaxial silicon
High switching speed
Complementary to C9013B
RoHS product
用途
APPLICATIONS
高频开关电源
一般功率放大电路
高频功率变换
High frequency switch power
supply
Commonly power amplifier
circuit
High frequency power
transform
封装½式
Package
TO-92
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项目
Parameter
集电极—基极直流电压
Collector- Base Voltage( IE=0)
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(IB=0)
发射极—基极直流电压
Emitter-Base Voltage(IC=0)
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
最高结温
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
Tstg
数值
Value
-40
-20
-5
-500
625
150
-55~+150
单½
Unit
V
V
V
mA
mW
1
Ver-1.0
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