漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):400mA 栅源极阈值电压:3.7V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W 类型:N沟道 N沟 600V 0.4A
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOT-223 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
Samacsys Confidence | 3 |
Samacsys Status | Released |
Samacsys PartID | 3914 |
Samacsys Pin Count | 4 |
Samacsys Part Category | Integrated Circuit |
Samacsys Package Category | SOT223 (3-Pin) |
Samacsys Footprint Name | SOT223 |
Samacsys Released Date | 2015-05-24 21:47:42 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 25 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.4 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.4 A |
最大漏源导通电阻 | 8.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 3.3 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 1.6 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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