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STN1HNK60

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):400mA 栅源极阈值电压:3.7V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W 类型:N沟道 N沟 600V 0.4A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小426KB,共15页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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STN1HNK60在线购买

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STN1HNK60概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):400mA 栅源极阈值电压:3.7V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W 类型:N沟道 N沟 600V 0.4A

STN1HNK60规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOT-223
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID3914
Samacsys Pin Count4
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategorySOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint NameSOT223
Samacsys Released Date2015-05-24 21:47:42
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)25 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.4 A
最大漏极电流 (ID)0.4 A
最大漏源导通电阻8.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)1.6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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