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STTH8R06DIRG

产品描述反向恢复时间(trr):25ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):2.9V @ 8A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小215KB,共16页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STTH8R06DIRG概述

反向恢复时间(trr):25ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):2.9V @ 8A

STTH8R06DIRG规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AC
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time11 weeks
应用HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.045 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

STTH8R06DIRG相似产品对比

STTH8R06DIRG STTH8R06D
描述 反向恢复时间(trr):25ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):2.9V @ 8A 反向恢复时间(trr):25ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):2.9V @ 8A
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-220AC TO-220AC
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.8 V 1.8 V
JEDEC-95代码 TO-220AC TO-220AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V
最大反向恢复时间 0.045 µs 0.045 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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