漏源电压(Vdss):24V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,24V,200A,0.8mΩ@10V
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-XDSO-G10 |
针数 | 10 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 2296 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 24 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 280 A |
最大漏极电流 (ID) | 280 A |
最大漏源导通电阻 | 0.001 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XDSO-G10 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 10 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 250 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 1120 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved