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STP12NM50FP: 产品描述漏源电压（Vdss）：500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 50uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小515KB，共17页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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STP12NM50FP概述

漏源电压（Vdss）：500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 50uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道

STP12NM50FP规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	STMicroelectronics
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
Factory Lead Time	16 weeks
Samacsys Description	NULL
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	400 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	12 A
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.35 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

用户手册

【User Guide】UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs

STP12NM50FP相似产品对比

	STP12NM50FP	STB12NM50T4
描述	漏源电压（Vdss）：500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 50uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道
Brand Name	STMicroelectronics	STMicroelectronics
零件包装代码	TO-220AB	D2PAK
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
Factory Lead Time	16 weeks	17 weeks
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	400 mJ	400 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	12 A	12 A
最大漏极电流 (ID)	12 A	12 A
最大漏源导通电阻	0.35 Ω	0.35 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	245
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	35 W	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A	48 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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