集电极电流（Ic）（最大值）：11A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.5V @ 15V,7A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 其他特性 | ULTRA FAST |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 11 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 7 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 340 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 31.5 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| STGF14NC60KD | STGB14NC60KDT4 | STGP14NC60KD | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 集电极电流（Ic）（最大值）：11A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.5V @ 15V,7A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA | 集电极电流（Ic）（最大值）：25A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.5V @ 15V,7A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA | 集电极电流（Ic）（最大值）：25A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.5V @ 15V,7A 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA Vces=600V,Ic=25A,Vce(sat)=2.5V |
| Brand Name | STMicroelectronics | - | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-220AB | - | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | - | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 | - | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | - | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 其他特性 | ULTRA FAST | - | ULTRA FAST |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 11 A | - | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | - | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 7 V | - | 7 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | - | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | - | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | - | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 25 W | - | 80 W |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | - | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 340 ns | - | 340 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 31.5 ns | - | 31.5 ns |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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