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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJD350T4
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MJD350T4

产品描述额定功率：1.56W 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：300V 晶体管类型：PNP PNPPOWERTRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小502KB，共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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MJD350T4在线购买

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MJD350T4概述

额定功率：1.56W 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：300V 晶体管类型：PNP PNPPOWERTRANSISTORS

MJD350T4规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明DPAK-2/3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值15 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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®
MJD340
MJD350
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
s
s
s
s
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX "T4")
ELECTRICAL SIMILAR TO MJE340 AND
MJE350
3
1
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
APPLICATIONS
s
SOLENOID/RELAY DRIVERS
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The MJD340 and MJD350 form complementary
NPN - PNP pairs.
They are manufactured using Medium Voltage
Epitaxial-Planar technology, resulting in a rugged
high performance cost-effective transistor.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (IE = 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
Collector Current
o
Collector Peak Current (tp = 25 C)
Total Power Dissipation at T
case
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max Operating Junction Temperature
Value
MJD340
MJD350
300
300
3
0.5
0.75
15
-65 to 150
150
V
V
V
A
A
W
o
o
Unit
C
C
For PNP types voltage and current values are negative.
September 2003
1/5

MJD350T4相似产品对比

MJD350T4 MJD340T4
描述 额定功率：1.56W 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：300V 晶体管类型：PNP PNPPOWERTRANSISTORS 额定功率：1.56W 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：300V 晶体管类型：NPN NPNPOWERTRANSISTORS
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-252 TO-252
包装说明 DPAK-2/3 DPAK-2/3
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
极性/信道类型 PNP NPN
功耗环境最大值 15 W 15 W
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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