漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 37A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：190W(Tc) 类型：N沟道
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-247AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| Samacsys Description | NULL |
| 雪崩能效等级（Eas） | 205 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.034 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STW75NF20 | STP75NF20 | |
|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 37A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：190W(Tc) 类型：N沟道 | 漏源电压（Vdss）：200V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 37A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：190W(Tc) 类型：N沟道 |
| Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 零件包装代码 | TO-247AB | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-220, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks | 12 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 205 mJ | 205 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.034 Ω | 0.034 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 190 W | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A | 300 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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