漏源电压（Vdss）：800V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| Samacsys Description | NULL |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 210 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STB7NK80ZT4 | STP7NK80ZFP | STP7NK80Z | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：800V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道 | 漏源电压（Vdss）：800V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 | 漏源电压（Vdss）：800V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A(Tc) 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 |
| Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | D2PAK | TO-220AB | TO-220AB |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 4 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks | 12 weeks | 12 weeks |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 210 mJ | 210 mJ | 210 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V | 800 V | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.2 A | 5.2 A | 5.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.2 A | 5.2 A | 5.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω | 1.8 Ω | 1.8 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 30 W | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20.8 A | 20.8 A | 20.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| Samacsys Description | NULL | STP7NK80ZFP, N-channel MOSFET Transistor 5.2 A 800 V, 3-Pin TO-220FP | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
