集电极电流(Ic)(最大值):35A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.75V @ 15V,12A 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA Vce=600V,Ic=35A,Vce(sat)=2.0V
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 35 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 270 ns |
标称接通时间 (ton) | 38 ns |
Base Number Matches | 1 |
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