电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MJD122T4

产品描述额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:NPN 内置反向二极管,NPN,100V,16A,20W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小561KB,共12页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJD122T4在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MJD122T4 - - 点击查看 点击购买

MJD122T4概述

额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:NPN 内置反向二极管,NPN,100V,16A,20W

MJD122T4规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明ROHS COMPLIANT, DPAK-2/3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID179795
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryTO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint NameDPAK (TO-252)
Samacsys Released Date2015-07-12 18:13:02
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值20 W
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max4 V
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
MJD122
MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
Low collector-emitter saturation voltage
Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
3
General purpose linear and switching
1
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration. The resulting
transistors show exceptional high gain
performance coupled with very low saturation
voltage.
DPAK
Figure 1.
Internal schematic diagrams
NPN: R
1
= 7 KΩ
R
2
= 70
PNP: R
1
= 16 KΩ
R
2
= 60
Table 1.
Device summary
Marking
MJD122
MJD127
Polarity
NPN
DPAK
Tape and reel
PNP
Package
Packaging
Order codes
MJD122T4
MJD127T4
April 2009
Doc ID 3541 Rev 11
1/12
www.st.com
12

MJD122T4相似产品对比

MJD122T4 MJD127T4
描述 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:NPN 内置反向二极管,NPN,100V,16A,20W 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:100V 晶体管类型:PNP 内置反向二极管,PNP,-100V,-8A,20W
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-252 TO-252
包装说明 ROHS COMPLIANT, DPAK-2/3 ROHS COMPLIANT, DPAK-2/3
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN PNP
功耗环境最大值 20 W 20 W
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
VCEsat-Max 4 V 4 V
Base Number Matches 1 1
急求cc2564的相关资料!!!
各位,急求cc2564的相关资料!!!谢谢! ...
595361568 无线连接
急!Ce5.0给窗体如何加快建键????????
急!Ce5.0给窗体如何加快建键???????? 在Windows 上的方法编译不过去。重写键盘事件没反应。 //protected override void OnKeyPress(KeyPressEventArgs e) //{ ......
jswx15 嵌入式系统
北京的朋友们,分享个科学日信息,约起来!
刚Q上偶遇大学同学,推荐了他们所的一个科学日活动,看看里面有加速器、对撞机、黑洞、引力波, 有兴趣的同学们可以去听听,回来发帖讲讲:pleased: http://www.ihep.cas.cn/xwdt/tzgg/201 ......
soso 聊聊、笑笑、闹闹
如何提高单片机系统的抗干扰性能
搞过产品的朋友都有体会,一个设计看似简单,硬件设计和代码编写很快就搞定,但在调试过程中却或多或少的意外,这些都是抗干扰能力不够的体现。 下面讨论一下如何让你的设计避免走弯路: 抗 ......
jingmindm 嵌入式系统
LOTO虚拟示波器 关于触发灵敏度功能
触发电平只是一根参考电压,而实际的波形在边沿处是存在抖动的,如下图所示,是一个正常的上升沿触发的实测截图: 641531 其中蓝色的T线就是触发电平的参考电压,图中波形的干扰 ......
LOTO2018 测试/测量
CPLD驱动DS18B20的问题
我写了个CPLD驱动DS18B20的程序,用LCD1602显示。 可是老显示00.0 请高手看看我的代码哪有问题?谢谢! 355726 ...
chenbingjy FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2510  2912  1959  1903  2362  4  7  57  58  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved