datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SMCJ30CA-TR
PDF数据手册
文档预览

SMCJ30CA-TR

产品描述极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：32A 箝位电压：48.4V 击穿电压（最小值）：33.3V 反向关断电压（典型值）：30V
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB，共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SMCJ30CA-TR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SMCJ30CA-TR - - 点击查看 点击购买

SMCJ30CA-TR概述

极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：32A 箝位电压：48.4V 击穿电压（最小值）：33.3V 反向关断电压（典型值）：30V

SMCJ30CA-TR规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time43 weeks 2 days
Samacsys DescriptionSMCJ30CA-TR,TVS Diode,Tj 1.5KW 30V,Bi STMicroelectronics SMCJ30CA-TR, Bi-Directional TVS Diode, 64.3V, 1500W, 2-Pin DO-214AB
最小击穿电压33.3 V
最大钳位电压64.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

文档预览

下载PDF文档
SMCJ
Transil™
Features
■
Peak pulse power:
– 1500 W (10/1000
μs)
– 10 kW (8/20
μs)
Stand off voltage range: from 5 V to 188 V
Unidirectional and bidirectional types
Low leakage current:
– 0.2
μA
at 25 °C
– 1
μA
at 85 °C
Operating T
j max
: 150 °C
High power capability at T
j max
:
– 1250 W (10/1000 µs)
JEDEC registered package outline
K
A
■
■
■
Unidirectional
Bidirectional
SMC
(JEDEC DO-214AB)
■
■
■
Description
The SMCJ Transil series has been designed to
protect sensitive equipment against electrostatic
discharges according to IEC 61000-4-2, and
MIL STD 883, method 3015, and electrical over
stress according to IEC 61000-4-4 and 5. These
devices are more generally used against surges
below 1500 W (10/1000
μs).
The Planar technology makes it compatible with
high-end equipment and SMPS where low
leakage current and high junction temperature are
required to provide reliability and stability over
time.
SMCJ are packaged in SMC (SMC footprint in
accordance with IPC 7531 standard).
Complies with the following standards
■
IEC 61000-4-2 level 4
– 15 kV (air discharge)
– 8 kV (contact discharge)
IEC 61000-4-5
MIL STD 883G, method 3015-7 Class 3B
– 25 kV HBM (human body model)
Resin meets UL 94, V0
MIL-STD-750, method 2026 solderability
EIA STD RS-481 and IEC 60286-3 packing
IPC 7531 footprint
■
■
■
■
■
■
TM:
Transil is a trademark of STMicroelectroniocs
July 2010
Doc ID 5617 Rev 8
1/10
www.st.com
10

SMCJ30CA-TR相似产品对比

SMCJ30CA-TR SMCJ5.0CA-TR SMCJ5.0A-TR SMCJ40CA-TR SMCJ15CA-TR SMCJ26A-TR SMCJ48CA-TR
描述 极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：32A 箝位电压：48.4V 击穿电压（最小值）：33.3V 反向关断电压（典型值）：30V 极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：171A 箝位电压：9.2V 击穿电压（最小值）：6.4V 反向关断电压（典型值）：5V 极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：171A 箝位电压：9.2V 击穿电压（最小值）：6.4V 反向关断电压（典型值）：5V 极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：24A 箝位电压：64.5V 击穿电压（最小值）：44.4V 反向关断电压（典型值）：40V 极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：64A 箝位电压：24.4V 击穿电压（最小值）：16.7V 反向关断电压（典型值）：15V 极性：Unidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：37A 箝位电压：42.1V 击穿电压（最小值）：28.9V 反向关断电压（典型值）：26V 极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：20A 箝位电压：77.4V 击穿电压（最小值）：53.3V 反向关断电压（典型值）：48V
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
零件包装代码 DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
针数 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 33.3 V 6.4 V 6.4 V 44.4 V 16.7 V 28.9 V 53.3 V
最大钳位电压 64.3 V 13.4 V 13.4 V 84 V 32.5 V 53.5 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB DO-214AB
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 1500 W 1500 W 1500 W 1500 W 1500 W 1500 W 1500 W
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 6.5 W 6.5 W 6.5 W 6.5 W 6.5 W 6.5 W 6.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V 5 V 5 V 40 V 15 V 26 V 48 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 10 10 10 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) - -
Factory Lead Time 43 weeks 2 days 43 weeks 2 days 43 weeks 2 days 43 weeks 2 days - 43 weeks 2 days 10 weeks 5 days

推荐资源

M7475型立轴圆台平面磨床磁力吸盘退磁电路（2）

声光电子催眠电路

C2132.6D型卧式六角自动车床电气原理图电路03

采用TL499A构成的电池后备电源电路图

ICL7660与S80250构成极性反转电路图a

控制计数器复位的可编程分频器（二）

开关电源原理与设计（连载30）推挽式变压器开关电源储能滤波电容参数的计算
1-8-1-3-2．推挽式变压器开关电源储能滤波电容参数的计算 由图1-35可以看出，在两个控制开关的占空比D分别等于0.25的情况下，电容器充、放电的电荷以及充、放电的时间和正、负电压纹波值均应该 ......
noyisi112 电源技术
lm3s 引脚死锁原理及解决办法！
lm3s 引脚死锁原理及解决办法！ GPIOAFSEL 寄存器是模式控制选择寄存器。向该寄存器中的任意位写“1”表示选择该GPIO线路为备用硬件控制（功能）所用。由于所有的位都在复位时都会清零，因此 ......
paulhyde 微控制器 MCU
IPTV:市场说了算
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:57 编辑 IPTV：市场才是唯一的仲裁者 2006-7-28 政策和市场的双重风险 IPTV与Triple-Play面临政策约束多和市场不成熟的现状。作为FTTH的业务引 ......
hkn 消费电子
我用中断写了个程序输出1KHZ方波，貌似有问题，请高手帮我这个菜鸟看看啊……
#include<iom16v.h>#include<macros.h>#define interrupt_handler pwm:9void pwm(){PORTB^=BIT(PB0);TCNT1H=0XFF;TCNT1L=0XEF;}void main(){TCCR1B=0X04; TCNT1H=0XFF;TCNT1L=0XEF;TIM ......
wing09 Microchip MCU
执行代码P4=P4^0x38后，为何 P4未变？
如下图，C8051F580在keil4中仿真。 P4端口的原值为0xC7,执行 P4=P4^0x38 代码后，应该是：0xFF。 可是，实际的执行结果 却未变，仍然是0xC7 ! 请问，这是 为什么 ？ 谢谢！ ......
yhyworld 单片机
刚教的单片机要考试了 大侠们帮个忙做几个题目啊！！！！！！！
用简单的汇编语言编程 1.编程计算从1+2+……+50 2.在RAM中有100个字节，起始地址为100H 找出中间的最小值放在700H中 试编写程序 3.是编写程序实现R4 R5指向的RAM单元中的高四位合并起来 放 ......
nickemma110 微控制器 MCU
器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. LPI3424W2N5716
  2. 72332-G202R
  3. 33045
  4. JT02RE-10-5PA(340)
  5. TSM-105-02-T-DV-004
  6. FKN2WSFR-73-43R
  7. H1206CA2233CHW-TR
  8. SD-14623DS-515Q
  9. AME8500AEEVDA19
  10. MMSZ4703-VT/R13
  11. CR2512B1102P05
  12. CR2010B453KD50

开源项目推荐更多

  1. 使用 Analog Devices 的 LT1634BCS8-4.096 的参考设计
  2. 使用VIPer0P和STM32L的、通过电容式触摸进行待机管理的、7V双路输出反激式转换器
  3. LTC4302 的典型应用 - 可寻址 2 线总线缓冲器
  4. EVAL-ADM1066TQEBZ，用于评估 ADM1066ASUZ 电压监控器排序器以实现复杂排序的评估板
  5. 基于 LTC1703 的稳压器具有用一个检测电阻器实现的有源电压定位
  6. SY89871U，用于 GB 以太网交换机时钟分频器的评估板
  7. LTC2282IUP 演示板，DeMUX 双路 ADC，+3.0V，105Msps 12 位 1MHz
  8. 使用 Cypress Semiconductor 的 S6AP413A5BGN1C000 的参考设计
  9. DC2542A，基于 LTC2358-18、LTM2893、ADA4522-1、LT6658 隔离式工业数据采集板的演示板
  10. DC2100B-A，用于使用 LTC3300-1 和 LTC6804-2 电池管理的双向电池平衡器的演示板

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. 第98届中国电子展全新推出5G&AIoT创新发展大会暨主题展
  2. 29-基于单片机的防盗报警系统仿真
  3. 芯原股份戴伟民：从IP芯片化至芯片平台化
  4. 台积电4nm工艺：天玑9000 CPU能效领先骁龙8 Gen1高到49%
  5. 通过CHNet-Q实现以太网通信及ModbusTCP配置方法
  6. 大联大友尚集团推出基于ST产品的DC/DC ACF隔离电源供应器方案
  7. 福禄克热像仪_福禄克热像仪价格_福禄克热像仪型号
  8. 汽车系统级芯片（SoC）的单一事件颠覆影响评估方法
  9. Software République安全智能的电动汽车充电站亮相2022年巴黎车展

技术资料推荐更多

  1. 长虹KFR-25GW/EQ电路原理图
  2. 歼七飞机交流电源系统改造研究
  3. Understanding the Terms and Definitions of LDO Voltage Regulators
  4. A New Matrix Integrated Magnetics (MIM) Structure for Low Voltage, High Current
  5. 小功率开关电源功率因素补偿研究
  6. 基于安谋科技STAR-MC1处理器的上海航芯ACM32无感FOC磁链观测器算法方案
  7. 棉花仪器化检验标准
  8. 电动汽车总体设计
  9. MATLAB案例13 SVM神经网络中的参数优化---提升分类器性能.rar
  10. 智能型充电器的电源和显示的设计资料

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 651  162  2040  2673  2568  54  17  46  39  34 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved