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NJW0281GT4TL

产品类别分立半导体    三极管   
文件大小2MB,共2页
制造商SPS(美国源芯)
官网地址http://www.sourcechips.com/
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NJW0281GT4TL
DESCRIPTION
·High
Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V
(BR)CEO
=250V(Min)
·Good
Linearity of h
FE
·Complement
to Type NJW0302G
APPLICATIONS
·Designed
for high fidelity audio amplifier and
other linear applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VALUE
250
250
5
15
1.5
150
150
-65~150
UNIT
V
V
V
A
A
W
T
stg
Ordering Information
Product
NJW0281GT4TL
Package
TO-3PN
Packaging
Tube
V01
1
www.sourcechips.com
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