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SM6512D1RL

产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小743KB,共4页
制造商SPS(美国源芯)
官网地址http://www.sourcechips.com/
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D
N03D
N
30V /150A Single N Power MOSFET
30V /150A Single N Power MOSFET
SM6512D1RL
150N03D
30
1.7
2.6
150
V
A
General Description
30V /150A Single N Power MOSFET
Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V
Pb-free lead plating; RoHS compliant
R
DS(on),TYP@VGS=10V
R
DS(on),TYP@VGS=4.5
I
D
V
DS
Part ID
SM6512D1RL
Package Type
DFN5x6
Marking
6512
Tape and reel
infomation
3000
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
A
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
G
G
B
Symbol
V
DS
V
GS
Maximum
30
20
150.0
115.0
240.0
48.0
110.4
83
33*
-55 to 150
Units
V
±V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
STG
A
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
Power Dissipation
A
mJ
W
°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Lead
C
A
A
Symbol
t ≤ 10s
Steady State
Steady State
R
θJA
R
θJL
Typ
6
12
3
Max
9
14
5
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V01
1
www.sourcechips.com
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