CL31B475KAHNNNE,CL31B475KAHNNNE pdf中文资料,CL31B475KAHNNNE引脚图,CL31B475KAHNNNE电路-Datasheet-电子工程世界

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CL31B475KAHNNNE: 产品描述精度：±10% 容值：4.7uF 额定电压：25V 温漂系数（介质材料)：X7R 材质:X7R; 产品类别无源元件电容器; 文件大小7MB，共84页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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CL31B475KAHNNNE概述

精度：±10% 容值：4.7uF 额定电压：25V 温漂系数（介质材料)：X7R 材质:X7R

CL31B475KAHNNNE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	1206
包装说明	CHIP
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Samacsys Description	SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS - CL31B475KAHNNNE - SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 4.7 µF, 25 V, 1206 [3216 Metric], ± 10%, X7R, CL Series
电容	4.7 µF
电容器类型	CERAMIC CAPACITOR
介电材料	CERAMIC
高度	1.8 mm
JESD-609代码	e3
长度	3.2 mm
安装特点	SURFACE MOUNT
多层	Yes
负容差	10%
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE
封装形式	SMT
包装方法	TR, EMBOSSED PLASTIC, 7 INCH
正容差	10%
额定（直流）电压（URdc）	25 V
尺寸代码	1206
表面贴装	YES
温度特性代码	X7R
温度系数	15% ppm/°C
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状	WRAPAROUND
宽度	1.6 mm

参考设计

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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