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RSR030N06TL

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:85mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,85mΩ@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSR030N06TL在线购买

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RSR030N06TL概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:85mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,85mΩ@10V

RSR030N06TL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionRohm, MOSFET, RSR030N06TL ROHM RSR030N06TL N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 60 V, 3-Pin SC-96
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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