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UMH11NFHATN

产品描述额定功率:150mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共8页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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UMH11NFHATN在线购买

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UMH11NFHATN概述

额定功率:150mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

UMH11NFHATN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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UMH11N FHA
General purpose (Dual digital transistors)
Datasheet
AEC-Q101 Qualified
l
Outline
Parameter
V
CC
I
C(MAX.)
R
1
R
2
DTr1 and DTr2
50V
100mA
10kΩ
10kΩ
SOT-363
SC-88
 
 
 
 
 
 
UMT6
     
               
 
l
Features
1)Two DTC114E chips in a UMT6 package.
2)Mounting possible with UMT3 automatic
 
mounting machines.
3)Transistor elements are independent,
 
eliminating interference.
4)Mounting cost and area can be cut in half.
l
Inner circuit
l
Application
INVERTER, INTERFACE, DRIVER
l
Packaging specifications
                                           
Part No.
Package
SOT-363
(UMT6)
Package
size
2021
Taping
code
TN
Reel size Tape width
(mm)
(mm)
180
8
Basic
ordering
unit.(pcs)
3000
Marking
UMH11N FHA
H11
                                                                                         
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
20161012 - Rev.001

 
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