UMX1NTN,UMX1NTN pdf中文资料,UMX1NTN引脚图,UMX1NTN电路-Datasheet-电子工程世界

UMX1NTN: 产品描述额定功率：150mW 集电极电流Ic：150mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：2 NPN(双) 双三极管，Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=120~560; 产品类别分立半导体晶体管; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

下载文档详细参数全文预览

UMX1NTN在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	UMX1NTN	-	-	点击查看	点击购买

额定功率：150mW 集电极电流Ic：150mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：2 NPN(双) 双三极管，Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=120~560

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	SC-88
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	13 weeks
Samacsys Description	Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-363
最大集电极电流 (IC)	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e2
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz
VCEsat-Max	0.4 V

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190