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PTZTE2536B

产品描述精度:- 稳压值(典型值):36V(Min)~40V(Max) 反向漏电流:10uA @ 27V 最大功率:1W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小2MB,共9页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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PTZTE2536B概述

精度:- 稳压值(典型值):36V(Min)~40V(Max) 反向漏电流:10uA @ 27V 最大功率:1W

PTZTE2536B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SURGE WITHSTAND LEVEL
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗20 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压38 V
最大反向电流10 µA
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差5.26%
工作测试电流10 mA
Base Number Matches1

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PTZ36B
Zener Diode
Data sheet
1000
mW
     
 
                                     
     
     
Outline
P
D
 
 
 
 
 
 
 
   
Feature
High reliability
Small power mold type
Application
Voltage regulation
Structure
Silicon Epitaxial Planar
Absolute Maximum Rating (T
a
= 25
)
ec
N
ew om
m
D
es en
ig de
ns d
f
Inner Circuit
Packaging Specification
Packing
Reel Size(mm)
T
aping Width(mm)
Basic Ordering Unit(pcs)
T
aping Code
Marking
Parameter
Symbol
P
D
T
j
T
stg
Limits
R
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1000
150
-55
½
150
 
N
ot
www.rohm.com
© 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/6
 
     
 
   
 
or
Unit
mW
Embossed T
ape
180
12
1500
TE25
36B
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