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UMD12NTR

产品描述额定功率:150mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小601KB,共8页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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UMD12NTR概述

额定功率:150mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

UMD12NTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-88
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
Samacsys DescriptionBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)68
JESD-30 代码R-PDSO-G6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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EMD12 / UMD12N
NPN + PNP Complex Digital Transistors
(Bias Resistor Built-in Transistors)
Datasheet
<For DTr1(NPN)>
Parameter
Value
lOutline
EMT6
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
UMT6
(6)
(5)
(4)
V
CC
I
C(MAX.)
R
1
R
2
<For DTr2(PNP)>
Parameter
50V
100mA
47kW
47kW
EMD12
(SC-107C)
UMD12N
SOT-363 (SC-88)
Value
V
CC
I
C(MAX.)
R
1
R
2
lFeatures
-50V
-100mA
47kW
47kW
lInner
circuit
OUT
(6)
IN
(5)
GND
(4)
1) Both the DTC144E chip and DTA144E chip
in one package.
2) Built-in bias resistors enable the configuration of
an inverter circuit without connecting external
input resistors (see inner circuit).
3) The bias resistors consist of thin-film resistors
with complete isolation to allow negative biasing
of the input. They also have the advantage of
completely eliminating parasitic effects.
4) Only the on/off conditions need to be set for
operation, making the circuit design easy.
5) Lead Free/RoHS Compliant.
lApplication
Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit
R
1
DTr1
R
2
R
2
DTr2
R
1
(1)
GND
(2)
IN
(3)
OUT
lPackaging
specifications
Part No.
EMD12
UMD12N
Package
EMT6
UMT6
Package
size
(mm)
1616
2021
Taping
code
T2R
TR
Basic
Reel size Tape width
ordering
(mm)
(mm)
unit (pcs)
180
180
8
8
8,000
3,000
Marking
D12
D12
www.rohm.com
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/7
2013.07 - Rev.B

UMD12NTR相似产品对比

UMD12NTR EMD12T2R
描述 额定功率:150mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 额定功率:150mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SC-88 SC-107
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 13 weeks 13 weeks
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 68 68
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-F6
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz

 
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